根据“燕园名师进英国威廉希尔唯一官网”系列活动安排，12月20日下午将举行学术报告会，邀请北京大学康晋锋教授作学术报告。现将有关事宜通知如下。

一、报告题目：新型阻变（忆阻）器件与应用

二、报告时间：12月20日（星期二）15:00

三、报告地点：英国威廉希尔唯一官网新区C2-201

四、报告人：康晋锋教授

五、参加人员：威廉希尔williamhill师生代表。

六、具体要求：

1.与会人员请于14:50前入场完毕。

2.会议期间请关闭手机或调至静音状态，保持会场秩序。

京津冀协同发展办公室

威廉希尔williamhill

2016年12月19日

个人简介

康晋锋，博士，教授，博士生导师，北京大学信息学院教授，北京大学上海微电子研究院副经理。1984年毕业于大连工学院物理系获理学学士；分别于1992和1995年获在北京大学理学硕士和理学博士学位；1996年至1997年，在北京大学微电子所从事博士后研究工作；1997开始在北京大学微电子所任副教授，2001年8月开始任教授。2002年至2003年受邀以访问教授（Visiting Professor）身份在新加坡国立大学半导体纳米器件实验室（SNDL）从事合作研究一年。

研究领域涉及：新型存储器技术，新型高K /金属栅与CMOS集成技术，ULSI器件模型结构和可靠性技术，高温超导与介质材料薄膜技术及其应用等。在新型氧化物阻变存储器（RRAM）物理机制、模型模拟、器件优化设计方法学、高密度3D集成技术、神经元计算等方面，在新型纳米尺度电荷陷阱存储器（CTM）器件与模型模拟技术，在高K/金属栅器件结构与集成技术与CMOS器件可靠性机制与模型等方面取得系列研究成果。在本领域核心期刊如ACS Nano、Scientific Reports、Advanced Materials、Nano Lett.、IEEE EDL, IEEE Transaction on Electron Devices, Appl. Pyhs. Lett.等`，以及学术会议如VLSI、IEDM等发表论文240余篇，SCI他引累计1700余篇， 3篇论文为ESI高被引论文；先后受邀在IEDM、SSDM、MRS、ASP-DAC、ISCAS、ICSICT等系列国际学术会议以及AMAT、IBM、IMEC、ITRI等国际著名研发机构做特邀报告。已申请中国发明专利100余项、其中40余项获授权。申请国际发明专利10余项，5项已获授权。

作为课题负责人，先后主持完成了国家863计划重大专项课题、国家973项目课题、国家自然科学基金项目等科研项目。曾先后获得国家科技进步二等奖、教育部科技进步一等奖、北京市技术发明一等奖等奖励。