2016年7月8日上午，中国科学院微电子研究所刘琦研究员在本部电信楼二楼机房作了题为《氧化物基阻变存储器》的学术报告。该报告介绍了刘琦和其所在课题组在氧化物基RRAM的物理机制、器件性能调控和集成技术这三个方面开展的研究工作。最后，刘琦研究员站在学术前沿的高度，对于阻变存储器的发展趋势进行了梳理和提炼。威廉希尔williamhill多名师生参加了报告会。

刘琦是中国科学院微电子研究所的研究员，国家自然科学基金委优秀青年科学基金项目获得者。长期从事新型非挥发存储技术和微纳加工技术的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，参与了多项国家重大专项、863、973和自然科学基金等项目的研究工作。在Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater., EDL和APL等期刊发表SCI论文80多篇，SCI他引2000多次，H因子22，拥有25项授权中国发明专利和2项美国发明专利。目前是Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Nanotechnol.、APL、EDL和TED等期刊的审稿人。