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彭英才

发布日期:2016-01-17    点击:

彭英才,男,教授,博士生导师。1974年毕业于英国威廉希尔唯一官网,微电子学专业,获得工学学士学位。主要工作经历有:1990年-1991年日本丰桥技术科学大学访问学者;1996年-1998年北京航空航天大学高级访问学者,主要进行硅基纳米薄膜的PECVD生长制备与电学特性研究;2000年-2001年,日本广岛大学访问研究员,主要进行硅量子点的自组织生长与发光特性研究;2004年9-10月,2010年4-5月,2011年8-10月作为客座教授,赴日本东京理科大学进行学术访问与交流,并应邀作了相关专题学术报告。1974年至今在威廉希尔中文网站平台工作。现为微电子学与固体电子学专业硕士研究生指导教师。

研究方向

主要从事硅基纳米结构光电信息薄膜材料的沉积生长、结构表征、电学特性、光学特性与量子器件的研究。

科研项目

1. 河北省自然基金项目:大晶粒多晶硅薄膜的可控成核高频感应加热CVD生长与光电特性研究E200800626(2008-2011),主持人

2. 河北省自然基金项目:晶粒尺寸和密度分布可控的硅基纳米材料的激光烧蚀沉积研究503125(2003-2005),主持人

3. 南京大学固体微结构国家重点实验室开放实验室课题(2011-2013),主持人

4. 中国科学院半导体所开放课题:Si纳米量子点的自组织生长与发光特性研究(2007-2009),主持人

代表论文

1. Y.C.Peng(彭英才),G.S.Fu(傅广生),W.Yu,S.Q.Li,Y.L.Wang(王英龙).Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics.Semicond.Sci.Technol.,2004,19:759-763.

2. Y.C.Peng(彭英才),X.W.Zhao(赵新为),G.S.Fu(傅广生). Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials.Chinese Science Bulletin,2002,47:1233-1242.

3. 彭英才,赵新为,傅广生。SI纳米量子点发光材料的研究进展。科学通报,2002,47:721-736

4. Peng yingcai(彭英才),Fan Zhidong,Bai zhenhua,Zhao xinwei(赵新为),Lou jianzhong,Cheng xu.Blue luminescent properties of silicon nanowires grown by a solid-liquid-solid method.Chin.Phys.Lett.,2010,27(5):057305-(1-3).

5. Yingcai PENG(彭英才),Xinwei ZHAO(赵新为),Guangsheng FU(傅广生).Progress of quantum-dot photoelectronic devices.Nanoscience,2007,12:30-34.

6. Y.L.Wang(王英龙),G.S.Fu(傅广生),Y.C.Peng(彭英才),Y.Zhou,L.Z.Chu,R.M.Zhang.Influence of inert gas pressure on growing rate of nanocrystalline silicon films prepared by pulsed laser deposition.Chinese Physics Letters,2004.21:201-203.

7. Yingcai PENG(彭英才),Seiichi MIYAZAK.Blue light emission properties and device applications of the nanostructured materials.Nanoscience,2006,11:293-297.

8. Y.C.Peng(彭英才),G.S.Fu(傅广生),Y.L.Wang(王英龙),Y.Shang.Progress of Si -based optoelectronic devices. Semicond.Photo.Technol.,2004,10:158-163.

9. Yingcai Peng(彭英才),Xingwei ZHAO(赵新为),Guangsheng FU(傅广生).Progress of namostructures used for the Si-based light sources .Nanoscience,2006,3:219-224.

10. 彭英才,范志东,白振华,马蕾.Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析.物理学报,2010,59(2):1169-1174

11. 彭英才,池田弥央,宫崎诚一.Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理分析.物理学报,2003,52:3108-3113

12. 彭英才,竹内耿平,稻毛信弥,宫崎诚一。SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.半导体学报,2002,23:267-270

13. 彭英才,傅广生.量子点太阳电池的探索.材料研究学报,2009,23(5):449-457

14. 彭英才,赵新为,傅广生.晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织生长.材料研究学报,2004,18:449-460

15. 彭英才,傅广生,赵新为.实现受激光发射的Si基纳米材料与结构.材料研究学报.2007,21:1-10

16. 彭英才,稻毛信弥,池田弥央,宫崎诚一.LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析.发光学报,2002,23:261-264

17. 彭英才,康建波,马蕾,张雷,王侠,范志东.掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性.人工晶体学报,2008,37(2):471-440

18. 马蕾,张雷,王侠,彭英才.不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备.人工晶体学报,2008,37(6):1505-1509

19. 彭英才,傅广生,王英龙,尚勇.提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索.人工晶体学报,2005,34:183-189

20. 彭英才,赵新为,傅广生,王英龙.实现受激光发射探索Si基激光器.人工晶体学报.2005,34:948-953