12月20日下午，英国威廉希尔唯一官网“燕园名师进英国威廉希尔唯一官网”系列讲座之康晋锋教授学术报告会在英国威廉希尔唯一官网新区举行。特邀北京大学康晋锋教授莅临讲学，校有关单位负责同志及师生代表参加了报告会。报告会由闫小兵主持。

报告会前，公司领导郝真鸣书记一行和京津冀协同发展办公室领导会见了康晋锋教授，对康晋锋教授莅临英国威廉希尔唯一官网表示欢迎和感谢，并简要介绍了英国威廉希尔唯一官网的发展历程、近期双一流建设情况以及人才引进的有关情况。在公司领导和京津冀协同发展办公室领导的陪同下，康晋锋教授参观了公司图书馆，微电子实验室。

报告会上，康晋锋教授以《新型阻变（忆阻）器件与应用》为题，结合自己在新型氧化物阻变存储器（RRAM）物理机制，在新型纳米尺度电荷陷阱存储器（CTM）器件与模型模拟技术，在高K/金属栅器件结构与集成技术与CMOS器件可靠性机制与模型等方面取得系列研究成果，介绍了国内外新型阻变器件的发展前景与应用研究的进展情况。随后，康晋锋教授与威廉希尔williamhill闫小兵副教授就新型存储器技术，模型模拟、器件优化设计方法学、高密度3D集成技术、神经元计算等方面进行了精彩对话，使参会师生受益匪浅。在互动环节，康晋锋教授与在场师生进行了深入交流，并回答了师生们提出的问题。

（京津冀协同发展办公室、威廉希尔williamhill供稿）